当前位置：首页 > 产品中心
练碳化硅需要什么设备
练碳化硅需要什么设备
2021-01-21T10:01:14+00:00
2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
2023年11月12日 图源：北方华创 切割是碳化硅衬底制备的首要关键工序，决定了后续研磨、抛光的加工水平，成本能占到50%以上，这是因为碳化硅属于硬质材料，硬度仅比金 2023年8月19日 在国产外延设备方面，北方华创、晶盛机电等企业开始小批量生产碳化硅外延设备，且当下存在发展的良机。一是目前国内外延片的制备受限于设备交付环节（疫情等原因），无法快速放量，主流碳化硅高 为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？
造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？要闻资讯中国粉体网
2023年5月13日 SiC产业链关键环节及工艺特点 SiC产业链关键环节 SiC器件产业链与传统半导体类似，一般分为单晶衬底、外延、芯片、封装、模组及应用环节。 SiC单晶衬底 2021年12月24日 他认为，电力电力转换设备的首要指标就是效率，效率低就没有什么价值。 提高采样频率波形会变得更好，SiC的工作频率比硅基器件提高差不多4到5倍，总损耗小了，所以可以提高效率。我想了解一下碳化硅的生产工艺？ 知乎
碳化硅加工设备
2023年11月23日 碳化硅加工设备全套配置包括锤式破碎机、斗式提升机、储料仓、震动给料机、微粉磨主机、变频分级机、双联旋风集粉器、脉冲除尘系统、高压风机、空气压缩机、电器控制系统。 碳化硅加工设备优 2020年6月16日 13 被浏览 24,264 关注问题 写回答 邀请回答 好问题 添加评论 分享 4 个回答 默认排序 与非网 关注 18 人赞同了该回答 提到碳化硅（SiC），人们的反应是其性能优势，如电气（更低阻抗/更高频 碳化硅器件目前有什么生产难点？？ 知乎
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 由于碳化硅具有宽禁带宽度、高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及更高的抗辐射能力等优点，是高温、高压、大功率应用场合下极为理想的半导体材料， 2022年1月19日 碳化硅是功率器件材料端的技术演进 随着终端应用电子架构复杂程度提升， 硅基器件物理极限无法满足部分高压、高温、高频及低功耗的应用要求，具备热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高 一文看懂碳化硅行业 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 未来智库，智造未来！ 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 2023年7月17日 设备先行、受益大尺寸需求扩张 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
碳化硅产业链最全分析 知乎
2021年12月5日 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链 这个碳化硅是第三代半导体材料，第 2021年3月11日 碳化硅功率器件的电气性能优势： 1 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm (4HSiC)，因此具有更高的耐压能力 (10倍于Si)。 2 散热容易：由于SiC材料的热导率较高 (是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。 理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作 碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车领域一决胜负及优缺点 知乎
碳化硅降本、增量，路在何方？腾讯新闻
2023年5月31日 需要解决的关键问题是晶锭如何长得快、长得好、长得大。 长得快与长晶设备的能力密切相关；长得好需要控制碳化硅晶体材料缺陷；长得大是从6英寸转向8英寸；在厚度方面，目前国内水平大约为20多到30mm，国际先进水平是4050mm。2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高 第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 知乎
规模很小，却已是半导体单晶硅炉“老炮儿”；技术开路，抱上
2023年7月21日 2015年，沪硅产业（SH）子公司上海新昇引入晶升股份作为其半导体级单晶硅炉产品国内唯一供应商，以推进国产替代。 此前，国内12英寸硅片及晶体生长设备产业基本处于空白。 2018年，公司首台产品经上海新昇验收通过，实现了12英寸半导体级 2023年8月23日 一、碳化硅简介与特性 碳化硅（SiC）是一种由碳和硅元素稳定结合而成的晶体材料。其独特的结构特性使其具有诸多优异的物理和化学性质，如高温稳定性、高硬度、耐腐蚀性等。这些特性使得碳化硅在许多领域具有重要的应用价值，尤其是在能源、电子、半导体、陶瓷和涂层等领域。碳化硅材料：特性、应用与未来前景探析 知乎
三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC） 知乎
2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？ 以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用 2022年8月29日 碳化硅为什么会进入高速发展阶段？ 人类历史上次发现碳化硅是在1891年，美国人艾奇逊在电溶金刚石的时候发现一种碳的化合物，这就是碳化硅首次合成和发现。 随后各国科学家经过深入研究之后，终于理清了碳化硅的优点和特性，并且发明了各 关于碳化硅，把我知道的都告诉你金刚石肖特网易订阅
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网
2023年6月30日 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验 2021年8月24日 目前，碳化硅功率器件市场增长的主要驱动力是碳化硅二极管在功率因素校正（PFC）电源、光伏中的大规模应用。得益于碳化硅MOSFET性能和可靠性的提高，3～5年内碳化硅MOSFET有望在新能源汽车传动系统主逆变器中获得广泛应用，未来五年内碳化硅器件市场增长的主要驱动力将由碳化硅二极管转变为 碳化硅功率器件之一 知乎
国内第三代半导体厂商（碳化硅） 知乎
2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内较大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。 据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分 2019年10月9日 碳化硅（SiliconCarbide）是C元素和Si元素形成的化合物。 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。 纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由 半导体届“小红人”——碳化硅 知乎
碳化硅 知乎
2023年1月1日 碳化硅（又名：碳硅石、金钢砂或耐火砂），化学简式：SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成的一种耐火材料。碳化硅在大自然也存在于罕见的矿物，莫桑石中。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种。2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
芯趋势丨碳化硅扩产如火如荼，国内生态链疾进 新浪
2023年1月11日 2022年，碳化硅（SiC）领域的扩产和收并购动作，是全球性现象。 无论是沉淀相对深厚的Wolfspeed和意法半导体，还是国内产业链公司，都在积极推进 2022年3月22日 切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫 氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度 碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
SiC发展神速设备XFab碳化硅
2022年8月25日 这是一个需要用设备部署的大量洁净室空间。一些用于硅生产线的设备也可用于碳化硅生产线。但大批量的生产需要一些专门的工具。 IDM和代工厂需要什么 ？ 随着特斯拉的发展，意法半导体很快就实现了高销量。意法半导体汽车产品集团功率 2023年9月18日 反应烧结碳化硅的烧结温度为1450~1700℃。碳和碳化硅的骨架可以提前切割成任何形状，烧结时坯体的收缩只有3%以内，有利于产品尺寸的控制，大大降低了成品的磨削量。碳化硅、碳、粘合剂等原料不需要特殊处理，市场供应。加工反应烧结碳化硅陶瓷的设备 知乎
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”sic长晶炉
2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2021年8月4日 这也就带来了SiC晶体制备的两个难点： 1、 生长条件苛刻，需要在高温下进行。 一般而言，SiC气相生长温度在 2300℃以上，压力 350MPa，而硅仅需 1600℃左右。 高温对设备和工艺控制带来了极高的要求，生产过程几乎是黑箱操作难以观测。 如果温度 8英寸碳化硅晶圆，这么难的吗？腾讯新闻
碳化硅衬底市场群雄逐鹿 碳化硅衬底制备环节流程 知乎
2023年3月28日 碳化硅衬底制备环节主要包括原料合成、碳化硅晶体生长、晶锭加工、晶棒切割、 切割片研磨、研磨片抛光、抛光片清洗等环节 ， 其中制备重难点主要是晶体生长和切割研磨抛光环节，是整个衬底生产环节中的重点与难点，成为限制碳化硅良率与 产能提升的 2023年5月4日 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。在C、N、B等非氧化物 碳化硅百度百科
揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产
2020年9月21日 原标题：揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产前途无量 功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率（理想转化率100% 2023年6月28日 国产碳化硅产业链急起直追 中国是全球较大的新能源汽车市场，国家政策也鼓励发展碳化硅，全球碳化硅市场供不应求、中国新能源车市场需求旺盛、加上鼓励政策，使中国碳化硅产业近年也快速发展。 2022年中国的新能源汽车销量达6887万辆，同比增 碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追 腾讯网
碳化硅是什么材料？ 知乎
2023年3月21日 带隙宽度：碳化硅的带隙宽度比硅大，通常为2233电子伏特（eV），而硅的带隙宽度约为11 eV。这意味着碳化硅需要更高的电场才能实现导电，能够承受更高的电压和温度。热导率：碳化硅的热导率比 2019年9月5日 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。 第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 知乎
陶瓷球磨机设备 知乎
2021年10月8日 陶瓷球磨机设备是球磨机的一种，其与一般球磨机区别就是他的衬板是由陶瓷制成的，其容量较小，适用于小批量物料的混合和研磨，即可干磨也可湿磨。 相对于其他球磨机，陶瓷球磨机设备的特点如下： 1、衬板类型可以改变：陶瓷球磨机设备根据生产的 2021年6月20日 碳化硅硅泥是在粉碎硅晶圆时产生的副产品，通常用于制造太阳能电池和半导体晶圆，并且使用线锯将硅锭切片成晶圆形式。当对硅锭切片时，使用的是包含平均粒径为10 μ m的碳化硅的研磨浆，因此产生了包含硅(主要成分)、碳化硅和其他氧化物的碳化硅硅泥。碳化硅硅泥 知乎
碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延
2023年10月20日 碳化硅设备行业深度报告：SiC东风已来，关注衬底与外延环节的材料+设备国产化机遇【勘误版】 2023年10月20日 17:08 同花顺 新浪财经APP 缩小 2023年6月28日 根据《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，经过过去20多年设备研发积累, 中电科48所、北方华创、恒普科技、优晶光电、纳设、晶盛机电和季华实验 碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网
本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 知乎专栏
2021年10月15日 本土超20条碳化硅晶圆产线大盘点！ 近些年来，随着汽车和工业的升级，以SiC为代表的第三代化合物开始受到行业的青睐。 根据Yole预测，20182024年，全球SiC功率器件市场规模将由420亿美元增长至1929亿美元，CAGR高达29%，其中电动汽车市场是较大驱动力，预计 2023年12月1日 从上图可见，碳化硅与硅器件的制造方法相近，但由于碳化硅与硅材料性质不同，一些工艺存在较大差异 （1） 离子注入是最重要的工艺。 硅器件制造中可以采用扩散、离子注入的方法进行掺杂，但碳化硅器件只能采用离子注入掺杂。 因为 碳硅结合力较强 半导体碳化硅（SIC）功率器件的制造； 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2023年4月26日 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 未来智库，智造未来！ 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈 在高性能和低能 碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。 今年发布的“‘十四五’规划和 2023年7月17日 设备先行、受益大尺寸需求扩张 半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。 半导体硅片生产 工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛 设备、外 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越 半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。 核心分为以下三代： 1) 代元素半导体材料：硅（Si）和锗 (Ge)；为半 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
2022年12月15日 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽” 集微网报道，2022年以来，受全球消费电子市场整体放缓以及新冠疫情反复的影响，半导体产业在经历了持续良久的高景气后开启了去库存周期。 值得一提的是，虽然半导体产业已经步入下行周期，但仍有部分 2021年7月3日 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道 硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 揭秘第三代芯片材料碳化硅 国产替代黄金赛道芯片碳化硅
碳化硅产业链最全分析 知乎
2021年12月5日 本文首发自公众号：价值盐选 今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。 我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链 这个碳化硅是第三代半导体材料，第 2021年3月11日 碳化硅功率器件的电气性能优势： 1 耐压高：临界击穿电场高达2MV/cm (4HSiC)，因此具有更高的耐压能力 (10倍于Si)。 2 散热容易：由于SiC材料的热导率较高 (是Si的三倍)，散热更容易，器件可工作在更高的环境温度下。 理论上，SiC功率器件可在175℃结温下工作 碳化硅（SiC）功率器件在电动汽车领域一决胜负及优缺点 知乎